Suzhou Zhicai Technology موفق به تولید هدف اسپاترینگ منیزیم اکسید (MgO) با قطر 6 اینچ و کیفیت بالا برای تولید اتصالات تونلی مغناطیسی MRAM شده است. این هدف دارای خلوص 4N، چگالی بالاتر از 99.8 درصد و یکنواختی دانه‌بندی در سطح پیشرفته بین‌المللی است که از رقبای ژاپنی mainstream که معمولاً چگالی بالاتر از 99.7 درصد گزارش می‌کنند، پیشی می‌گیرد.
این دستاورد آخرین شکاف کنترل‌شده خارجی در زنجیره تأمین مواد بالادستی MRAM را می‌بندد، زیرا سایر اهداف فلزی مغناطیسی پیش از این در داخل کشور تأمین می‌شدند. MRAM یا حافظه دسترسی تصادفی مغناطیسی، از درجه آزادی اسپین الکترون برای ترکیب سرعت‌های نزدیک به DRAM با عدم‌فراریت کلاس NAND و تأخیر خواندن حدود یک‌هزارم NAND بهره می‌برد. این فناوری به‌طور ذاتی در برابر تشعشع مقاوم است و نیاز به تصحیح خطاهای تک رویدادی را از بین می‌برد، که آن را برای ذخیره‌سازی در فضاپیماها، ماهواره‌های نظامی و سامانه‌های هدایت موشک‌ها مناسب می‌سازد.
با کوچک‌تر شدن گره‌های منطقی به زیر 28 نانومتر، MRAM تعبیه‌شده در حال جایگزینی حافظه فلش تعبیه‌شده به‌عنوان گزینه اصلی حافظه غیرفرار برای واحدهای کنترل میکروکنترلرهای خودروهای نسل بعدی و کنترل‌کننده‌های هوش لبه‌ای است. بازار پایین‌دستی نیز به‌طور همزمان شتاب گرفته است. سامسونگ MRAM را در کنار DRAM و حافظه با پهنای باند بالا به‌عنوان یکی از ستون‌های استراتژیک خود معرفی کرده و TSMC هدف تولید MRAM در گره 5 نانومتری را تا سال 2027 دنبال می‌کند. NXP در مارس 2025 میکروکنترلر خودرویی S32K5 با گره 16 نانومتری FinFET و MRAM تعبیه‌شده را عرضه کرد و Everspin حافظه MRAM UNISYST خود را با ظرفیت‌های 128 مگابیت تا 2 گیگابیت و پهنای باند خواندن 400 مگابایت بر ثانیه منتشر کرد.
طبق گزارش Fortune Business Insights، بازار جهانی تراشه‌های MRAM در سال 2025 به 4.49 میلیارد دلار می‌رسد و تا سال 2034 با نرخ رشد مرکب سالانه 38.97 درصد به 86.78 میلیارد دلار خواهد رسید.
اکوسیستم MRAM چین اکنون به نقطه بحرانی تولید انبوه رسیده است. GigaDevice نمونه‌های STT-MRAM را برای مشتریان خودرویی و صنعتی عرضه کرده است. Zhizhen Storage تراشه‌های SOT-MRAM را در سامانه‌های کنترل پرواز پهپادهای کم‌ارتفاع به کار گرفته است. خط تولید اختصاصی 8 اینچی MRAM در چینگدائو فعال است و Hanxu Technology تراشه هوش مصنوعی MRAM تعبیه‌شده در گره 8 نانومتری را به مرحله تولید رسانده است. با عرضه هدف MgO توسط Suzhou Zhicai، خطوط پایلوت MRAM چین اکنون از تأمین مواد بالادستی کاملاً داخلی برخوردارند و فشار محدودیت‌های دوگانه پیشین بر مؤسسات توسعه‌دهنده MRAM در چین پایان می‌یابد.
Suzhou Zhicai توسط بازگشتگان از برنامه جذب استعدادهای بزرگ ملی چین و دانشمندان برجسته حوزه اهداف اکسیدی تأسیس شده است. این شرکت تنها تأمین‌کننده داخلی و یکی از سه شرکت جهانی با راه‌حل کامل اهداف ابررسانای دمای بالای ReBCO است و صادرات دسته‌ای کوچکی را نیز انجام می‌دهد. هدف MgO برای MRAM دومین دستاورد بزرگ اکسیدی این شرکت است و استراتژی دوگانه آن در حوزه مواد کلیدی ابررساناها و نیمه‌رساناها را تأیید می‌کند.
چرا این خبر مهم است؟
این دستاورد زنجیره تأمین داخلی چین در مواد حیاتی برای تولید MRAM را تکمیل می‌کند و وابستگی به منابع خارجی را کاهش می‌دهد. با تکمیل زنجیره تأمین، تولید انبوه MRAM در چین تسریع خواهد شد و رقابت جهانی در این فناوری استراتژیک شدت خواهد یافت. همچنین، این خبر نشان‌دهنده پیشرفت چین در حوزه فناوری‌های نیمه‌رسانا و ابررساناها است که می‌تواند تأثیر قابل توجهی بر بازار جهانی داشته باشد.
وضعیت کاربران ایرانی
این خبر به‌طور مستقیم بر کاربران ایرانی تأثیر فوری ندارد، اما پیشرفت‌های چین در حوزه MRAM می‌تواند در آینده بر بازار جهانی نیمه‌رساناها و فناوری‌های حافظه تأثیرگذار باشد.